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Study of transient photoconductivity of GaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition
Authors:
ZZ Chen
B Shen
XY Zhang
R Zhang
P Chen
YG Zhou
L Zang
RL Jiang
ZC Huang
YD Zheng
ZS Wu
XT Sun
F Chen
Institution:
(1) Department of Physics and Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, P.R. China, CN;(2) Department of Electronic Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, P.R. China, CN
Abstract:
Received: 24 March 1998/Accepted: 10 July 1998
Keywords:
PACS: 71
55
E
72
40
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