| H等离子体处理对Si中He注入空腔引起的效应 |
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| 引用本文： | 刘昌龙,E.Ntsoenzok,D.Alquier. H等离子体处理对Si中He注入空腔引起的效应[J]. 中国物理 C, 2005, 29(5): 524-529 |
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| 作者姓名： | 刘昌龙 E.Ntsoenzok D.Alquier |
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| 作者单位： | 天津大学理学院物理系，CERI/CNRS，3A rue de la Férollerie，45071 Orléans Cedex 2，France，LMP/STMicroelectronics，16 rue Pierre et Marie Curie，B. P. 7155，F37071 Tours Cedex，France 天津300072，天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072 |
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| 基金项目： | 天津大学人才引进启动基金(W50301)，教育部留学回国基金(413147)资助~~ |
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| 摘 要： | 室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016cm-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800°C高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子体处理对空腔生长所产生的效应明显地依赖于He离子的能量.对于40 keV He离子注入,空腔的形成和热生长似乎不受H等离子体处理的影响,而对于160 keV He离子注入,附加的等离子体处理则促进了空腔的生长并伴随着空腔分布区域的变窄.对于1550keV He离子注入,H等离子体处理对空腔产生的效应介于40和160 keV注入情况之间.结合H等离子体处理在Si中所引起的缺陷的产生及其热演变过程对实验结果进行了讨论.
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| 关 键 词： | 单晶Si He离子注入 H等离子体处理 透射电子显微镜 空腔 |
| 收稿时间： | 2004-07-30 |
Effects of Hydrogen Plasma Treatment on Cavity Formation in Silicon Induced by He Ion Implantation |
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| LIU Chang-Long , ) E. Ntsoenzok D. Alquier. Effects of Hydrogen Plasma Treatment on Cavity Formation in Silicon Induced by He Ion Implantation[J]. High Energy Physics and Nuclear Physics, 2005, 29(5): 524-529 |
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| Authors: | LIU Chang-Long ) E. Ntsoenzok D. Alquier |
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| Affiliation: | LIU Chang-Long 1, 2, 1) E. Ntsoenzok 3 D. Alquier 4 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | crystalline silicon He ion implantation H plasma treatment cross-sectional transmission electron microscopy cavity |
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