Quantum size effects and negative resistance in MOS structure with polycrystalline InSb (n-type)

Summary The tunnel characteristics (J vs. V) of Al−Al₂O₃−InSb (n type) structures with thin (100÷400)? semiconducting electrode are presented. They are analysed by utilizing the model proposed by Chang, Esaki and Styles. The data obtained by a nonlinear best fit on experimental points describe the MOS structure and the negative-resistance region exibited by the characteristics. Furthermore, the semiconductor gap shows a dependence on the thickness and this variation is explainable with the quantum effects presence in the thinnest films.

---

Riassunto Le caratteristiche tunnel (J vs. V) di strutture Al−Al₂O₃−InSb (n type) con eletrodo semiconduttore sottile (100÷400) ? sono presentate. Esse sono analizzate utilizzando il modello proposto da Chang, Esaki e Styles; i dati ottenuti da un adattamento ottimale non lineare sui punti sperimentali descrivono la struttura MOS e la regione a resistenza negativa esibita dalle caratteristiche. Inoltre si osserva che il gap del semiconduttore varia con lo spessore; tale variazione è interpretata mediante la presenza di effetti quantistici di dimensione nei films più sottili.

---

Резюме Приводятся туннельные характеристики (J в зависимости отV) для Al−Al₂O₃−InSb (n-типа) структур с тонким (100÷400) ? сверхпроводящим злектродом. Эти нарактеристики анализируются с помощью модели, предложенной Ченгом, Есаки и Стайлсом. Данные, полученные путем нелинейной подгонки, описывают MOS структуры и область отрицательного сопротивления, обнаруженного в характеристиках. Кроме того, щель в свернпроводнике обнаруживает зависимость от толщины. Изменение щели объясняется наличием квантовых эффектов, связанных с размерами образцов, в тончайших пленках.