HL—1M装置内壁锂涂覆实验 |
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作者姓名: | 王明旭 张年满 等 |
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摘 要: | Li是原子序数最小的金属元素,具有非常活泼的化学活性,是最有希望的第一壁材料。TFTR装置经过锂化后提高了等离子体存储能量、中心离子温度和密度的峰化以及聚变反应速率,表明了原位锂化的巨大优越性。原位硅化已成为HL-1M装置常规壁处理手段,与此同时,HL-1M装置也正在探索先进的锂化工艺技术。本文介绍了HL-1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以及目前锂化技术的不足。
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关 键 词: | 锂涂覆技术 第一壁 壁状态 HL-1M托卡马克装置 内壁处理 |
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