氧化态对锗衬底表面质量的影响 |
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引用本文: | 何远东,张伟才,杨洪星,韩焕鹏.氧化态对锗衬底表面质量的影响[J].半导体技术,2022(8):602-605+648. |
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作者姓名: | 何远东 张伟才 杨洪星 韩焕鹏 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
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摘 要: | 锗衬底主要用于制备砷化镓太阳电池,在航天器电源及地面聚光太阳电池系统中有着广泛的应用。为进一步提高电池转换效率,对锗衬底的表面质量提出了更高的要求。研究了HF/H2O2/H2O清洗液体系中氧化剂H2O2体积分数对锗衬底及外延片表面质量的影响。随着氧化反应的不断进行,在锗衬底表面形成一层非晶态不溶性GeOx薄膜,从而实现了锗衬底较好的钝化和更加稳定的表面终结,并通过外延生长进行了工艺验证。通过高分辨率X射线光电子能谱(XPS)对锗衬底表面氧化态进行测试及分峰拟合并模拟计算,当1.22O2/H2O清洗液钝化效果较好。
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关 键 词: | 双氧水 锗衬底 表面质量 氧化态 X射线光电子能谱(XPS) |
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