| 电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学 |
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| 引用本文： | 胡晓琳,陈建中,庄乃锋,兰建明,赵斌.电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学[J].人工晶体学报,2001,30(4):358-363. |
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| 作者姓名： | 胡晓琳 陈建中 庄乃锋 兰建明 赵斌 |
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| 作者单位： | 福州大学化学化工学院化学系 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金(B
97005)资助项目 |
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| 摘 要： | 本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率.结果表明,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制,在饱和点为38.00℃的溶液中,RHSe晶体的{111}和{101}晶面的临界过饱和度分别为1.01;和1.16;.实验过程中还发现,当过饱和度大于1.76;时,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷,因而在生长RHSe单晶时,过饱和度应控制在1.76;以下.
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| 关 键 词： | 电光晶体 生长动力学 硒酸氢铷 多二维成核生长 |
| 文章编号： | 1000-985(2001)04-0358-06 |
| 修稿时间： | 2001年6月18日 |
Growth Mechanism of Rubidium Hydrogen Selenate Crystal |
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