| 使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究 |
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| 引用本文： | 莫春兰,彭学新,熊传兵,王立,李鹏,姚冬敏,辛勇,江凤益,南昌大学. 使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究[J]. 发光学报, 2001, 22(1): 75-79 |
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| 作者姓名： | 莫春兰 彭学新 熊传兵 王立 李鹏 姚冬敏 辛勇 江凤益 南昌大学 |
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| 作者单位： | 材料科学研究所, |
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| 基金项目： | 国家 8 63新材料领域! ( 715 0 0 1 0 0 12 )，国家自然科学基金! ( 696760 19)，江西省跨世纪人才基金 |
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| 摘 要： | 采用自行研制的立式MOCVD生长系统 ,以TMGa、TEGa为Ga源 ,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜。然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试。实验结果表明 ,缓冲层的Ga源不同对GaN单晶膜质量影响很大 ;以TEGa为Ga源生长缓冲层及外延层 ,外延层不连续 ;以TMGa为缓冲层Ga源、TEGa为外延层Ga源 ,在此得到室温载流子浓度为 4 5× 1 0 17cm-3 ,迁移率为 1 98cm2 /V·s的电学性能较好的GaN单晶膜。研究结果表明 :使用TEGa为外延层Ga源生长GaN ,能有效地抑制不期望的蓝带的出现。
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| 关 键 词： | GaN MOCVD 三乙基镓 三甲基镓 半导体材料 单晶膜 光致发光光谱 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)01-0075-05 |
| 修稿时间： | 2000-05-16 |
Growth of GaN with TEGa and TMGa by MOCVD |
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| MO Chun lan,PENG Xue xin,XIONG Chuan bing,WANG Li,LI Peng,YAO Dong min,XIN Yong,JIANG Feng yi. Growth of GaN with TEGa and TMGa by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001, 22(1): 75-79 |
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| Authors: | MO Chun lan PENG Xue xin XIONG Chuan bing WANG Li LI Peng YAO Dong min XIN Yong JIANG Feng yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN MOCVD TEGa TMGa |
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