| φ75mmSI-GaAs单晶的研制 |
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| 引用本文： | 宋群厚,陈宏毅,赵周英,吴颖炜,朱志明,陈小宾,戴杰,竹正源.φ75mmSI-GaAs单晶的研制[J].固体电子学研究与进展,1997(1). |
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| 作者姓名： | 宋群厚 陈宏毅 赵周英 吴颖炜 朱志明 陈小宾 戴杰 竹正源 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所!210016 |
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| 摘 要： | 近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电子器件研究所依靠自己的力量，在过去成功经验的基础上，自筹资金自行设计制造了JW0018型新一代高压单晶炉，在国内首先使用了三温区石墨加热系统进行了75mmGaAs晶体生长，首次投新料就获得了较为满意的结果。具体参数指标如下：电子迁移率：5.47×103cm2／V·s电阻率：23×107/Ω·cm位错密度EPD：8．8XIO4cm－’迁移率径向均匀性凸p／P：53见电阻率径向均匀性凸人P：146拓从得到的结果…
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Growth of ■75 mm SI-GaAs Single Crystal |
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