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| 2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管 | |
| 引用本文： | 黄雒光,赵丽华,刘英坤,张鸿亮,潘茹.2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管[J].半导体技术,2004(12). |
| 作者姓名： | 黄雒光 赵丽华 刘英坤 张鸿亮 潘茹 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第13研究所 石家庄050002 (黄雒光，赵丽华，刘英坤，张鸿亮)，中国电子科技集团公司第13研究所 石家庄050002(潘茹) |
| 摘 要： | 研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。 |
| 关 键 词： | 硅 微波 脉冲 功率晶体管 内匹配 |
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