| 45°内反射镜高功率InGaAs/AlGaAs/GaAs面发射半导体激光器结构设计和制备 |
| |
| 引用本文： | 李梅,曲轶,王晓华,徐莉,李辉,刘维峰,刘国军. 45°内反射镜高功率InGaAs/AlGaAs/GaAs面发射半导体激光器结构设计和制备[J]. 发光学报, 2003, 24(4): 395-398 |
| |
| 作者姓名： | 李梅 曲轶 王晓华 徐莉 李辉 刘维峰 刘国军 |
| |
| 作者单位： | 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
| |
| 基金项目： | 兵器预研基金资助项目(00ZS3601) |
| |
| 摘 要： | 研究了具有45°内反射镜的0 98μm辐射波长的应变InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱面发射半导体激光器结构,并采用MBE方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,低温(10K)光致发光(PL)和电化学C V方法检测和分析了外延薄膜的光电和结构特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长0 919μm的谱峰,谱峰范围跨跃0 911～0 932μm,双晶回摆曲线、电化学C V分布曲线显示所设计的结构基本得到实现。
|
| 关 键 词： | 半导体激光器 面发射 分子束外延 双晶回摆曲线 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)04-0395-04 |
| 修稿时间： | 2002-10-25 |
Material Characteristics of InGaAs/AlGaAs/GaAs 45° Folded Cavity Surface-emitting Lasers |
| |
| LI Mei,QU Yi,WANG Xiao hua,XU Li,LI Hui,LIU Wei feng,LIU Guo jun. Material Characteristics of InGaAs/AlGaAs/GaAs 45° Folded Cavity Surface-emitting Lasers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003, 24(4): 395-398 |
| |
| Authors: | LI Mei QU Yi WANG Xiao hua XU Li LI Hui LIU Wei feng LIU Guo jun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | semiconductor laser surface emitting MBE double crystal rocking curve |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
