| 提高PZT阴极电子发射性能的实验研究 |
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| 引用本文： | 蔡雪梅,周应华. 提高PZT阴极电子发射性能的实验研究[J]. 半导体技术, 2009, 34(7). DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.07.14 |
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| 作者姓名： | 蔡雪梅 周应华 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学,光电学院,重庆,400065;重庆邮电大学,计算机学院,重庆,400065 |
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| 摘 要： | 实验研究了提高PZT(锆钛酸铅)阴极电子发射性能.在电子发射快极化反转机理的基础上,分析了电流发射密度随激励场强增大的原因.通过电极绝缘保护层改散了阴极的表面击穿特性,通过等静压工艺改善了阴极的体击穿特性和通过Mn2+的添加提高材料本生的耐电压强度,从而提高了施加在阴极上的激励场强值.实验数据显示等静压工艺、高的激励场强、绝缘保护层、Mn2+的添加等均有利于阴极的电流发射,发射电流密度提高到123 A/cm2.
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| 关 键 词： | PZT阴极 发射电流密度 等静压工艺 绝缘保护膜 击穿阈值 |
Experimental Study on PZT Cathodes for Improving the Properties of Electron Emission |
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| Cai Xuemei,Zhou Yinghua. Experimental Study on PZT Cathodes for Improving the Properties of Electron Emission[J]. Semiconductor Technology, 2009, 34(7). DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.07.14 |
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| Authors: | Cai Xuemei Zhou Yinghua |
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