| Cr4+,Yb3+:YAG晶体的生长及其吸收特性 |
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| 引用本文： | 董俊,邓佩珍,徐军,陈伟.Cr4+,Yb3+:YAG晶体的生长及其吸收特性[J].人工晶体学报,1999,28(2):140-144. |
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| 作者姓名： | 董俊 邓佩珍 徐军 陈伟 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 摘 要： | 用提拉法生长了Cr,Yb:YAG晶体,研究了在室温的吸收光谱特性以及氧化性气氛退火对其吸收特性的影响.在室温吸收光谱中存在着五大吸收带:在440nm和605nm存在着Cr3+离子的两个吸收带,而且退火使其发生了明显的"红移";在937nm和968nm处存在Yb3+离子的两个吸收带,能与InGaAs激光二极管(LD)有效耦合,适合激光二极管泵浦;而且在1.03μm处有一Cr4+离子的吸收峰,可用作可饱和吸收体,从而可以实现对Yb3+的自调Q激光输出.在氧化性气氛下退火对晶体吸收特性及缺陷的影响是:退火使晶体的缺陷明显减少而且使Cr4+浓度得到进一步的增加;Cr4+离子浓度的增加主要是由于二价阳离子Ca2+进入相应的Y3+晶格所造成.并且从晶格场的角度讨论了退火使Cr3+离子的吸收带发生"红移"的原因.
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| 关 键 词： | 自调Q激光晶体 Cr Yb:YAG晶体 引上法晶体生长 光谱性质 退火 |
Growth of Cr,Yb:YAG Crystal and Its Absorption Spectrum Properties |
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| Dong Jun,Deng Peizhen,Xu Jun,Chen Wei.Growth of Cr,Yb:YAG Crystal and Its Absorption Spectrum Properties[J].Journal of Synthetic Crystals,1999,28(2):140-144. |
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| Authors: | Dong Jun Deng Peizhen Xu Jun Chen Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cr |
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