| 单电子器件制备技术的新进展 |
| |
| 引用本文： | 彭英才,赵新为. 单电子器件制备技术的新进展[J]. 微纳电子技术, 2005, 42(5): 202-208 |
| |
| 作者姓名： | 彭英才 赵新为 |
| |
| 作者单位： | 1. 河北大学电子信息工程学院,河北,保定,071002;中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
2. 日本东京理科大学物理系,东京,126-8601;中国科学院微电子研究所,纳米材料与器件中心,北京,100029 |
| |
| 摘 要： | 介绍了近年内,以不同材料类型和结构形式为器件有源区的单电子晶体管在制备技术方面所取得的一些新进展。
|
| 关 键 词： | 单电子晶体管 器件有源区 制备技术 工作特性 |
| 文章编号： | 1671-4776(2005)05-0202-07 |
| 修稿时间： | 2005-02-22 |
New Progress of the Preparation for Single-Electron Devices |
| |
| PENG Ying-cai,ZHAO Xin-wei. New Progress of the Preparation for Single-Electron Devices[J]. Micronanoelectronic Technology, 2005, 42(5): 202-208 |
| |
| Authors: | PENG Ying-cai ZHAO Xin-wei |
| |
| Affiliation: | PENG Ying-cai1,2,ZHAO Xin-wei3,4 |
| |
| Abstract: | We rivew some new progress on the preparation and integrated technique of single-electron devices consists of different materials and structures. Finally,we try to present a prospect of the study on single electron devices. |
| |
| Keywords: | single-electron transistor device active region preparation properties |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
