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磁控溅射纳米VO_2(B相)热敏薄膜的制备
引用本文:何少伟,陈鹏杰,胡庆,董翔,蒋亚东,赖建军,王宏臣,黄光.磁控溅射纳米VO_2(B相)热敏薄膜的制备[J].半导体光电,2012,33(4):500-502.
作者姓名:何少伟  陈鹏杰  胡庆  董翔  蒋亚东  赖建军  王宏臣  黄光
作者单位:电子科技大学光电信息学院,成都,610054;武汉国家光电实验室,武汉,430074
基金项目:创新研究群体科学基金项目
摘    要:利用磁控反应溅射镀膜方法在低温(250℃)条件下制备了主要成分为B相亚稳态二氧化钒(VO2)的薄膜材料。电学性能测试表明:室温下该薄膜的方块电阻为50kΩ左右,电阻温度系数为-2.4%/K,可以作为非致冷红外微测热辐射热计的热敏材料。

关 键 词:二氧化钒薄膜  磁控溅射  微测辐射热计  非致冷红外探测器  电阻温度系数
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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