磁控溅射纳米VO_2(B相)热敏薄膜的制备 |
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引用本文: | 何少伟,陈鹏杰,胡庆,董翔,蒋亚东,赖建军,王宏臣,黄光.磁控溅射纳米VO_2(B相)热敏薄膜的制备[J].半导体光电,2012,33(4):500-502. |
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作者姓名: | 何少伟 陈鹏杰 胡庆 董翔 蒋亚东 赖建军 王宏臣 黄光 |
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作者单位: | 电子科技大学光电信息学院,成都,610054;武汉国家光电实验室,武汉,430074 |
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基金项目: | 创新研究群体科学基金项目 |
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摘 要: | 利用磁控反应溅射镀膜方法在低温(250℃)条件下制备了主要成分为B相亚稳态二氧化钒(VO2)的薄膜材料。电学性能测试表明:室温下该薄膜的方块电阻为50kΩ左右,电阻温度系数为-2.4%/K,可以作为非致冷红外微测热辐射热计的热敏材料。
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关 键 词: | 二氧化钒薄膜 磁控溅射 微测辐射热计 非致冷红外探测器 电阻温度系数 |
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