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CoX_2L_2络合物电子光谱的理论处理
引用本文:章晓华,胡皆汉,郭和夫.CoX_2L_2络合物电子光谱的理论处理[J].光谱学与光谱分析,1985(6).
作者姓名:章晓华  胡皆汉  郭和夫
作者单位:中国科学院大连化学物理研究所 (章晓华,胡皆汉),中国科学院大连化学物理研究所(郭和夫)
摘    要:许多二价钴络合物CoX_2L_2具有C_(2v)的点群结构。但对这类低对称性分子电子光谱的理论处理遇到了多参数的困难,而且无法把这些参数与分子的结构相联系起来,这也是低对称性分子电子光谱的理论处理迟迟得不到发展的主要原因。本文测定了一系列具有CoX_2L_2分子式新络合物分子的电子光谱。由配位场理论直接应用到这些络合物分子,可得到分裂能级的表达式,这些式中含有五个参数。由理论计算,CoX_2L_2的六个谱带得到了明确的归属。并提出了一种计算Racah参数的新方法,由此可以得到不同卤素,不同磷配体络合物分子的电子云伸展效应序列。我们对计算出的参数Bλ,x的物理意义进行了分析讨论,认为B_(z,0)的大小决定了络合物分子偏离正四面体结构的程度,并可佔算出配位角的大小詈笪颐腔苟訠λ,x参数与不同磷配体影响钴磷间π反馈键强弱做了关联。

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