| Bi2O3掺杂对Ag(Nb0.8Ta0.2)O3陶瓷结构和介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 肖谧,杨朝,钟小蓉,席芳芳.Bi2O3掺杂对Ag(Nb0.8Ta0.2)O3陶瓷结构和介电性能的影响[J].无机化学学报,2013,29(18). |
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| 作者姓名： | 肖谧 杨朝 钟小蓉 席芳芳 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072;天津大学电子信息工程学院, 天津 300072;天津大学电子信息工程学院, 天津 300072;天津大学电子信息工程学院, 天津 300072 |
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| 摘 要： | 本文研究了Bi2O3掺杂对Ag(Nb0.8Ta0.2)O3陶瓷的结构和介电性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明，Bi2O3的掺杂可以使陶瓷中Ag+被还原并析出，且银析出的量随Bi2O3掺杂量的增加而不断增加，这可能源自于Bi3+对Ag+的取代。在一定范围内增大Bi2O3掺杂量可提高Ag(Nb0.8Ta0.2)O3陶瓷的室温介电常数，降低介电损耗，并使温度系数向负值方向移动。当Bi2O3的掺杂量约为3.5wt%时，样品具有较大的介电常数(ε=672)和较小的介电损耗(tanδ=7.3×10-4)。
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| 关 键 词： | ANT Bi2O3 掺杂 Ag析出 高介电常数 |
| 收稿时间： | 7/3/2013 12:00:00 AM |
Influence of Bi2O3 on the Structure and Dielectric Properties of Ag(Nb0.8Ta0.2)O3 Ceramics |
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| XIAO Mi,YANG Zhao,ZHONG Xiao-Rong and XI Fang-Fang.Influence of Bi2O3 on the Structure and Dielectric Properties of Ag(Nb0.8Ta0.2)O3 Ceramics[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2013,29(18). |
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| Authors: | XIAO Mi YANG Zhao ZHONG Xiao-Rong and XI Fang-Fang |
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| Institution: | School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China;School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China;School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China;School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ANT Bi2O3 doping Ag precipitation high dielectric constant |
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