| 热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟 |
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| 引用本文： | 张向宇,关小军,潘忠奔,张怀金,曾庆凯,王,进.热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟[J].人工晶体学报,2014,43(4):771-777. |
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| 作者姓名： | 张向宇 关小军 潘忠奔 张怀金 曾庆凯 王 进 |
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| 作者单位： | 山东大学材料科学与工程学院,济南250061;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学材料科学与工程学院,济南,250061 |
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| 基金项目： | 山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303) |
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| 摘 要： | 为了研究热屏位置对φ200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟.结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底端至熔体表面距离的影响更大,即随着它的增加,V/G值沿径向普遍增大且由内向外变化程度增强,晶体心部高浓度空位区扩大,最大热应力减小.合理控制热屏底端至熔体表面的距离可有效改善晶体质量.
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| 关 键 词： | 直拉硅单晶 有限元 热屏位置 原生点缺陷 热应力 |
Simulation on Effect of Heat Shield Position on the V/G and Point Defect and Thermal Stress of Gzochralski Silicon |
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| ZHANG Xiang-yu,GUAN Xiao-jun,PAN Zhong-ben,ZHANG Huai-jin,ZENG Qing-kai,WANG Jin.Simulation on Effect of Heat Shield Position on the V/G and Point Defect and Thermal Stress of Gzochralski Silicon[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(4):771-777. |
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| Authors: | ZHANG Xiang-yu GUAN Xiao-jun PAN Zhong-ben ZHANG Huai-jin ZENG Qing-kai WANG Jin |
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