| 3%NaCl溶液中铜缓蚀剂TTA的光电化学和表面电子能谱研究 |
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| 引用本文： | 杨迈之 童汝亭. 3%NaCl溶液中铜缓蚀剂TTA的光电化学和表面电子能谱研究[J]. 高等学校化学学报, 1993, 14(11): 1565-1568 |
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| 作者姓名： | 杨迈之 童汝亭 |
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| 作者单位： | 北京大学化学系，北京大学化学系，北京大学化学系，河北师范大学化学系，河北师范大学化学系，河北师范大学化学系，首都师范大学化学系，上海电力学院动力工程系 北京 100871，北京 100871，北京 100871，石家庄，石家庄，石家庄，北京，上海 |
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| 摘 要： | 本文采用测开路光电压（Ｖｏｐｈ）的方法，检测铜在３％ＮａＣｌ溶液中的腐蚀行为及加入缓蚀剂ＴＴＡ的缓蚀效果的浓度效应，并辅之以表面电子能谱进行研究。结果表明当ＴＴＡ浓度小于１．５×１０＾－５ｗｔ％时，反而加速Ｃｌ＾－侵蚀；当ＴＴＡ浓度大于１．５×１０＾－５ｗｔ％时，ＴＴＡ才起到缓蚀作用。随ＴＴＡ浓度继续增加，ＴＴＡ保护膜变得更致密和更厚；当ＴＴＡ浓度大于５×１０＾－５ｗｔ％时，膜厚不再增加。
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| 关 键 词： | 铜 缓蚀剂 氯化钠溶液 光电化学 |
Studies on Photoelectrochemistry and Auger Electron Spectra for Inhibitor of Copper in 3% NaCl |
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| YANG Mai-Zhi,GUO Qin-Lin,CAI Sheng-Min. Studies on Photoelectrochemistry and Auger Electron Spectra for Inhibitor of Copper in 3% NaCl[J]. Chemical Research In Chinese Universities, 1993, 14(11): 1565-1568 |
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| Authors: | YANG Mai-Zhi GUO Qin-Lin CAI Sheng-Min |
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| Keywords: | Copper Inhibitor Open circuit photovoltage |
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