| AlN插入层对AlGaN/GaN外延材料电学性能影响 |
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| 引用本文： | 王侠. AlN插入层对AlGaN/GaN外延材料电学性能影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(3): 672-675 |
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| 作者姓名： | 王侠 |
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| 作者单位： | 西安科技大学电气与控制工程学院,西安,710054 |
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| 摘 要： | 采用MOCVD制备了带有MN插入层AlGaN/GaN异质结构外延材料,对外延材料分别进行了原子力显微镜AFM、双晶XRD以及变温HALL测试.测试结果表明:具有AlN插入层的外延材料表面非常平整,10 μm × 10 μm范围样品的表面均方根粗糙度RMS仅为0.302 nm,AlGaN势垒层衍射峰更尖锐,材料结构特性良好,大大提高了AlGaN/GaN异质结的2DEG面密度和迁移率,280 K和300 K时沟道电子迁移率分别为4736 cm2/V·s和1785 cm2/V·s,比无MN插入层的传统结构得到的结果分别提高了45.7;和23.4;.
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| 关 键 词： | MOCVD AlN插入层 AlGaN/GaN异质结构 外延 迁移率, |
Influence of AlN Interlayer on the Electrical Properties of AlGaN/GaN Epitaxial Material |
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| WANG Xia. Influence of AlN Interlayer on the Electrical Properties of AlGaN/GaN Epitaxial Material[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(3): 672-675 |
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| Authors: | WANG Xia |
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| Affiliation: | WANG Xia;College of Electrical and Control Engineering,Xi’an University of Science and Technology; |
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