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| 不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响 | |
| 作者姓名： | 曹伟伟 朱彦旭 郭伟玲 刘建朋 俞鑫 邓叶 徐晨 |
| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室 |
| 基金项目： | 北京市教委基金(KM201210005004);国家自然科学基金(61107026);国家科技支撑计划(2011BAE01B14)资助项目 |
| 摘 要： | 电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL。通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6%。 |
| 关 键 词： | 发光二极管(LED) 电流阻挡层(CBL) 光效 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |