| 喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 |
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| 引用本文： | 柯昀洁,梁红伟,申人升,宋世巍,夏晓川,柳阳,张克雄,杜国同.喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响[J].发光学报,2013(4):469-473. |
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| 作者姓名： | 柯昀洁 梁红伟 申人升 宋世巍 夏晓川 柳阳 张克雄 杜国同 |
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| 作者单位： | 大连理工大学物理与光电工程学院;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60976010,61076045,11004020);国家863重大项目(2011AA03A102);中央高校基本科研业务费专项(DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC(3)45);高等学校博士学科点专项科研基金(20110041120045)资助项目 |
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| 摘 要： | 在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定。此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显。
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| 关 键 词： | MOCVD 高度调节 InGaN/GaN量子阱 |
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