| TiN(001)表面上3N1Ti1Si岛构型及其演变的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 刘学杰,吴帅,任元.TiN(001)表面上3N1Ti1Si岛构型及其演变的第一性原理研究[J].发光学报,2013(6):727-731. |
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| 作者姓名： | 刘学杰 吴帅 任元 |
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| 作者单位： | 内蒙古科技大学机械工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50845065);内蒙古自然科学基金(2010Zd21)资助项目 |
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| 摘 要： | 为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成,采用第一性原理计算了在TiN(001)表面上3N1Ti1Si岛的各构型的总能量和吸附能,并计算了Si-in-3N1Ti构型转向Ti-in-3N1Si构型的两种演变方式所对应的激活能。计算结果表明:在3N1Ti1Si的几种构型中,Ti-in-3N1Si构型是最低能量的稳定结构,这种构型是由SiN相从TiN相中分离出来而形成的;两种演变方式中以Si粒子迁出Ti粒子迁入所需构型演变的激活能较小,更容易实现构型演变;与2Ti2N1Si构型演变相比,3N1Ti-1Si岛演变中SiN与TiN分离比较容易实现,这意味着适当增加氮分量有利于SiN与TiN的分离。
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| 关 键 词： | 界面形成条件 相分离 构型演变 激活能 第一性原理 |
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