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| 测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率 | |
| 引用本文： | 郭祥,罗子江,张毕禅,尚林涛,周勋,邓朝勇,丁召.测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率[J].物理实验,2011,31(1). |
| 作者姓名： | 郭祥 罗子江 张毕禅 尚林涛 周勋 邓朝勇 丁召 |
| 作者单位： | 1. 贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025 2. 贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;贵州财经学院,教育管理学院,贵州,贵阳,550004 3. 贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.60886001); 贵州省委组织部高层人才科研特助项目(No.TZJF-2008-31); 贵州省科技厅基金项目(黔科合J字[2007]2176号); 贵州省优秀科技教育人才省长专项基金项目(黔省专合字(2009)114号); 教育部新世纪优秀人才支持计划(No.NCET-08-0651); 贵州省优秀青年科技人才培养计划(No.[2009]-15) |
| 摘 要： | 报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线. |
| 关 键 词： | MBE RHEED GaAs(001)衬底 强度振荡 InAs生长速率 |
Measuring the growth rate of InAs on GaAs (001) substrate |
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| GUO Xiang,LUO Zi-jiang,ZHANG Bi-chan,SHANG Lin-tao,ZHOU Xun,DENG Chao-yong,DING Zhao.Measuring the growth rate of InAs on GaAs (001) substrate[J].Physics Experimentation,2011,31(1). | |
| Authors: | GUO Xiang LUO Zi-jiang ZHANG Bi-chan SHANG Lin-tao ZHOU Xun DENG Chao-yong DING Zhao |
| Institution: | GUO Xiang1,2,LUO Zi-jiang1,3,ZHANG Bi-chan1,SHANG Lin-tao1,ZHOU Xun1,4,DENG Chao-yong1,DING Zhao1,2(1.College of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China,2.Key Laboratory of Micro-Nano-Electronics of Guizhou Province,3.Department of Educational and Management,Guizhou Finance College,Guiyang 550004,4.Department of Physics and Electronics,Guizhou Normal University,Guiyang 550001,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | MBE RHEED GaAs(001) substrate intensity oscillation InAs growth rate |
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