| 阻变存储器外围电路关键技术研究进展 |
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| 引用本文： | 焦斌,邓宁,陈培毅.阻变存储器外围电路关键技术研究进展[J].固体电子学研究与进展,2013,33(4):363-370. |
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| 作者姓名： | 焦斌 邓宁 陈培毅 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家高新技术研究发展计划(863计划)资助项目 |
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| 摘 要： | 阻变存储器(RRAM)是一种前景非常好的未来通用存储技术,也是当前国际学术界和工业界研究的热点。主要介绍了存储器外围电路的电路设计,并介绍了阻性存储器外围电路,包括验证电路、写电路、参考模块方案和形式、限流等关键技术的原理,重点讨论了提升复位操作速度,改善高阻值离散性,参考方案的设计和参考单元的组成,用限流实现低功耗操作的方法及其发展趋势。
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| 关 键 词： | 阻变存储器 复位 读操作 限流 |
Progress in Development of Resistive RAM Peripheral Circuit |
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| JIAO Bin
,
DENG Ning
,
CHEN Peiyi.Progress in Development of Resistive RAM Peripheral Circuit[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2013,33(4):363-370. |
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| Authors: | JIAO Bin DENG Ning CHEN Peiyi |
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| Institution: | (Institute of Microelectronic,Tsinghua University,Beijing,100084,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RRAM reset read operation current compliance |
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