硅单晶中的氧和碳在超大规模集成电路技术中的作用 |
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引用本文: | Seigo Kishino,黄子伦.硅单晶中的氧和碳在超大规模集成电路技术中的作用[J].微电子学,1983(6). |
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作者姓名: | Seigo Kishino 黄子伦 |
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作者单位: | 日本VLSI技术研究组合共同研究所 |
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摘 要: | 氧在大规模集成技术中既有优点,也有缺点;对切克劳斯基法生长的硅片来说,因为碳起着对器件性能有不利影响的热感生微缺陷核的作用,所以它是有害的;这种微缺陷受晶体生长期间所经受的热过程和硅片中碳浓度控制。因此,可以在不降低硅片中氧浓度的情况下,通过控制晶体生长技术来抑制微缺陷的形成。
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