| 蒸发制备金属薄膜实现MEMS工艺中电互连 |
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| 引用本文： | 黄磊,陈四海,何少伟,史锡婷,李敏杰,李毅,易新建.蒸发制备金属薄膜实现MEMS工艺中电互连[J].半导体技术,2005,30(12):12-14,18. |
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| 作者姓名： | 黄磊 陈四海 何少伟 史锡婷 李敏杰 李毅 易新建 |
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| 作者单位： | 华中科技大学光电子工程系;武汉国家光电实验室;华中科技大学光电子工程系;华中科技大学光电子工程系;华中科技大学图像识别与智能控制国家重点实验室,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 介绍了利用蒸发方法制备金属薄膜来实现MEMS工艺中的互连,采用剥离方法制作金属互连柱.分别在剥离层为双层AZ5214负胶、聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214负胶、ENPI剥离胶的情况下,实验并制备了金属Ni互连柱(双层AZ5214金属柱高1.86 μ m,聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214柱高2.0 μ m,ENPI柱高1.5 μ m),都起到了较好的互连作用.
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| 关 键 词： | 微机电系统 互连 电子束蒸发 剥离技术 |
| 文章编号： | 1003-353X（2005）12-0012-03 |
| 收稿时间： | 2005-04-20 |
| 修稿时间： | 2005-04-20 |
Metallic Film Deposited by Evaporation Method for MEMS Interconnection Technology |
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| HUANG Lei,CHEN Si-hai,HE Shao-wei,SHI Xi-ting,LI min-jie,LI Yi,YI Xin-jian.Metallic Film Deposited by Evaporation Method for MEMS Interconnection Technology[J].Semiconductor Technology,2005,30(12):12-14,18. |
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| Authors: | HUANG Lei CHEN Si-hai HE Shao-wei SHI Xi-ting LI min-jie LI Yi YI Xin-jian |
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| Institution: | 1. Dept. of Optoelectronic Engineering, HUST; 2. Wuhan National Lab for Optoelectronics; 3. State Key Lab for Imaging Recognization and Intelligence Control, HUST, Wuhan 430074, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS interconnection E-beam evaporation lift-off process |
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