| GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制 |
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| 引用本文： | 马腾达,刘玉岭,杨盛华,徐奕,考政晓.GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制[J].半导体技术,2018,43(11):847-851. |
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| 作者姓名： | 马腾达 刘玉岭 杨盛华 徐奕 考政晓 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项;国家科技重大专项;河北省自然科学基金青年项目;天津市自然科学基金;河北工业大学优秀青年科技创新基金 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 铜互连 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 铜线条剩余厚度 铜去除速率 |
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