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| N阱电阻的单粒子效应仿真 | |
| 作者姓名： | 琚安安 郭红霞 张凤祁 刘晔 钟向丽 欧阳晓平 丁李利 卢超 张鸿 冯亚辉 |
| 作者单位： | 1. 湘潭大学材料科学与工程学院;2. 西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11875229,51872251)资助的课题~~； |
| 摘 要： | 利用计算机辅助设计(technology computer aided design, TCAD)软件针对N型阱电阻的单粒子效应开展仿真研究,结果表明单个重离子入射到N阱电阻中会造成器件输出电流的扰动.经过对电阻的工作机理和单粒子效应引入的物理机制进行分析,结果表明重离子在N阱电阻中产生的电子-空穴对中和了N阱电阻中的空间电荷区,使得N阱电阻的阻抗瞬间减小、电流增大,且空间电荷区被破坏的面积越大瞬态电流的峰值越高.随着阱结构中的高浓度过剩载流子被收集,单粒子效应的扰动会消失.但N阱电阻独特的长宽比设计导致器件中的过剩载流子收集效率低、单粒子效应对阱电阻的扰动时间长.文中还对影响N阱电阻单粒子效应的其他因素开展了研究,结果表明重离子的线性能量传输(linear energy transfer, LET)值越高、入射位置距离输入电极越远, N阱电阻的单粒子效应越严重.此外,适当缩短N阱电阻的长度、提高阱电阻的输入电压、降低电路电流可以增强其抗单粒子效应表现. |
| 关 键 词： | 阱电阻 空间电荷区 单粒子效应 瞬态电流 |