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界面工程调控GaN基异质结界面热传导性能研究
作者姓名:王权杰  邓宇戈  王仁宗  刘向军
作者单位:东华大学机械工程学院,微纳机电系统研究所,纤维材料改性国家重点实验室
基金项目:国家自然科学基金(批准号:52150610495,52206080);;上海市科委科技基金(批准号:21TS1401500,22YF1400100)资助的课题~~;
摘    要:GaN以其宽禁带、高电子迁移率、高击穿场强等特点在高频大功率电子器件领域有着巨大的应用前景.大功率GaN电子器件在工作时存在明显的自热效应,产生大量焦耳热,散热问题已成为制约其发展的瓶颈.而GaN与衬底间的界面热导是影响GaN电子器件热管理全链条上的关键环节.本文首先讨论各种GaN界面缺陷及其对界面热导的影响;然后介绍常见的界面热导研究方法,包括理论分析和实验测量;接着结合具体案例介绍近些年发展的GaN界面热导优化方法,包括常见的化学键结合界面类型及范德瓦耳斯键结合的弱耦合界面;最后总结全文,为GaN器件结构设计提供有价值参考.

关 键 词:GaN  界面缺陷  界面热导  声子输运
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