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| 聚变材料钨辐照后退火形成的位错环特性及inside-outside衬度分析 | |
| 作者姓名： | 徐驰 万发荣 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学核科学与技术学院射线束技术教育部重点实验室;2. 北京市科学技术研究院辐射技术研究所;3. 北京科技大学材料科学与工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:1210050304)； |
| 摘 要： | 对纯钨透射电镜薄膜样品在400℃进行了58 keV、1×1017 cm-2(约0.1 dpa)的氘离子辐照,辐照后进行了900℃/1 h的退火处理.离子辐照产生了平均尺寸为(11.10±5.41)nm,体密度约为2.40×1022 m-3的细小位错环组织,未观察到明显的空洞组织.辐照后退火造成了位错环尺寸的长大和体密度的下降,分别为(18.25±16.92) nm和1.19×1022 m-3.通过透射电镜的衍射衬度分析,判断辐照后退火样品中的位错环主要为a/2<111>类型位错环.通过“一步法” inside-outside衬度分析判断位错环为间隙型位错环.辐照后退火还造成了较大位错环之间接触融合,形成不规则形状的大型位错环.此外,退火后样品中还观察到了尺寸为1—2 nm的细小空洞组织. |
| 关 键 词： | 钨 离子辐照 位错环 inside-outside衬度 |