| 大面积单层二硫化钼的制备及其光电性能 |
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| 引用本文： | 武鹏,谈论,李炜,曹立伟,赵俊博,曲尧,李昂.大面积单层二硫化钼的制备及其光电性能[J].物理学报,2023(11):302-308. |
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| 作者姓名： | 武鹏 谈论 李炜 曹立伟 赵俊博 曲尧 李昂 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学材料与制造学部,先进材料微观结构与性能北京市重点实验室;2. 湖北大学物理与电子科学学院,湖北省氢能安全检测与控制工程技术研究中心 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2021YFA1200201)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 过渡金属硫族化合物(TMDCs)材料具有优异的电学和光电性能,在下一代光电子器件中具有广阔的应用前景.然而,大面积均匀生长单层的TMDCs仍然具有相当大的挑战.本工作提出了一种简单而有效的利用化学气相沉积(CVD)制备大面积单层二硫化钼(MoS2)的方法,并通过调整氧化物前驱体的比例,调整MoS2单晶/薄膜生长.随后,利用叉指电极掩膜板制备出单层MoS2薄膜光电探测器.最后,在405 nm激光激发下,不同电压和不同激光功率条件下均表现出高稳定和可重复的光电响应,响应时间可达毫秒(ms)量级.此外,该光电探测器实现了405—830 nm的可见光到近红外的宽光谱检测范围,光响应度(R)高达291.7 mA/W,光探测率(D*)最高达1.629×109 Jones.基于该CVD制备的单层MoS2薄膜光电探测器具有成本低、能大规模制备,且在可见光到近红外的宽光谱范围内具有良好的稳定性和重复性的优点,为未来电子和光电子器件的应用提供了更多的可能性.
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| 关 键 词： | MoS2 化学气相沉积 光电探测器 光电响应 |
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