| 扶手椅型C3B纳米带:结构稳定性、电子特性及调控效应 |
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| 引用本文： | 曹胜果,韩佳凝,李占海,张振华.扶手椅型C3B纳米带:结构稳定性、电子特性及调控效应[J].物理学报,2023(11):270-282. |
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| 作者姓名： | 曹胜果 韩佳凝 李占海 张振华 |
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| 作者单位： | 长沙理工大学,柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61771076)； |
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| 摘 要： | 单层C3B是典型的类石墨烯二维材料,已在实验上成功制备.采用密度泛函理论方法(DFT)研究了扶手椅型单层C3B纳米带的结构稳定性、电子性质及物理调控效应,计算结果表明:对于裸边纳米带,如果带边缘全由C原子组成(AA型),则电子相为半导体;两个带边缘均由C与B原子混合组成时(BB型),则纳米带的电子相为金属;而纳米带的一边由C原子组成、另一边由B与C原子混合构成(AB型),则纳米带的电子相为金属.这说明纳米带边缘的B原子对于纳米带成为金属或半导体起决定作用.而对于H端接的纳米带,它们全部为直接或间接带隙半导体.H端接的纳米带载流子迁移率一般比裸边纳米带低,这与它们较大的有效质量及较高的形变势有密切关系.同时发现半导体性质的纳米带对物理调控非常敏感,特别是在压应变和外电场作用下,纳米带的带隙明显变小,这有利于对光能的吸收和研发光学器件.
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| 关 键 词： | C3B纳米带 结构稳定性 电子性质 载流子迁移率 物理调控 |
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