| 基于HfO2插层的Ga2O3基金属-绝缘体-半导体结构日盲紫外光电探测器 |
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| 引用本文： | 董典萌,汪成,张清怡,张涛,杨永涛,夏翰驰,王月晖,吴真平.基于HfO2插层的Ga2O3基金属-绝缘体-半导体结构日盲紫外光电探测器[J].物理学报,2023(9):154-163. |
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| 作者姓名： | 董典萌 汪成 张清怡 张涛 杨永涛 夏翰驰 王月晖 吴真平 |
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| 作者单位： | 北京邮电大学理学院,信息功能材料与器件实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:12074044)；;信息光子学与光通信国家重点实验室开放基金(批准号:IPOC2021ZT05)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 作为一种新兴的超宽带隙半导体, Ga2O3在开发高性能的日盲紫外光电探测器方面具有独特的优势.金属-半导体-金属结构因其制备方法简单、集光面积大等优点在Ga2O3日盲紫外光电探测器中得到了广泛的应用.本文在传统的金属-半导体-金属结构Ga2O3日盲紫外光电探测器的基础上,利用原子层沉积技术引入高介电性和绝缘性的氧化铪(HfO2)作为绝缘层和钝化层,制备出带有HfO2插层的金属-绝缘体-半导体结构的Ga2O3日盲紫外光电探测器,显著降低了暗电流,提升了光暗电流比,同时提高了器件的比探测率和响应速度,为未来Ga2O3在高性能弱光探测器件制备提供了一种新通用策略.
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| 关 键 词： | 氧化镓 紫外探测 金属-绝缘体-半导体 表面钝化 |
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