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| 双轴错配应变对铁电双栅负电容晶体管性能的影响 | |
| 引用本文： | 纪婷伟,白刚.双轴错配应变对铁电双栅负电容晶体管性能的影响[J].物理学报,2023(6):317-326. |
| 作者姓名： | 纪婷伟 白刚 |
| 作者单位： | 南京邮电大学集成电路科学与工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:51602159)； |
| 摘 要： | 提出了双轴错配应变调节的对称双栅负电容场效应晶体管的电学特性的解析模型,然后基于该模型对比研究了铁电层厚度和双轴错配应变分别对基于PbZr0.5Ti0.5O3和CuInP2S6材料的两种负电容场效应晶体管的电学性能的影响.结果表明:对于基于PbZr0.5Ti0.5O3的负电容场效应晶体管,当增加其铁电层厚度或施加压缩应变时,其亚阈值摆幅和导通电流得到改善,但施加拉伸应变具有相反的作用.对于基于CuInP2S6的负电容场效应晶体管,在增加铁电层厚度或施加拉伸应变时性能有所改善,但器件在压缩应变下是滞后的.比较两者发现,在低栅极电压下,基于CuInP2S6的负电容场效应晶体管比基于PbZr0.5Ti0.5O3的负电容场效应晶体管表现出更好的性能. |
| 关 键 词： | 负电容场效应晶体管 CuInP2S6 PbZr0.5Ti0.5O3 错配应变 |
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