| Rashba自旋-轨道耦合调制的单层半导体纳米结构中电子的自旋极化效应 |
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| 引用本文： | 贺亚萍,陈明霞,潘杰锋,李冬,林港钧,黄新红.Rashba自旋-轨道耦合调制的单层半导体纳米结构中电子的自旋极化效应[J].物理学报,2023(2):363-368. |
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| 作者姓名： | 贺亚萍 陈明霞 潘杰锋 李冬 林港钧 黄新红 |
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| 作者单位： | 桂林理工大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:62164005)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 利用现代材料生长技术纳米厚的半导体可以沿着良好的方向有序生长,形成层状半导体纳米结构.在这种半导体纳米结构中由于结构反演对称性破缺出现较强的自旋-轨道耦合,能有效消除半导体中电子的自旋简并,导致电子自旋极化效应,在自旋电子学领域中具有重要的应用.本文从理论上研究了单层半导体纳米结构中由Rashba型自旋-轨道耦合引起的电子自旋极化效应.由于Rashba型自旋-轨道耦合,相当强的电子自旋极化效应出现在该单层半导体纳米结构中.自旋极化率与电子的能量和平面内波矢有关,尤其是其可通过外加电场或半导体层厚度进行调控.因此,该单层半导体纳米结构可作为半导体自旋电子器件应用中的可控电子自旋过滤器.
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| 关 键 词： | 单层半导体纳米结构 自旋-轨道耦合 自旋极化效应 可控电子自旋过滤器 |
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