| 钝化层对背沟道刻蚀型IGZO薄膜晶体管的影响 |
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| 引用本文： | 王琛,温盼,彭聪,徐萌,陈龙龙,李喜峰,张建华.钝化层对背沟道刻蚀型IGZO薄膜晶体管的影响[J].物理学报,2023(8):272-278. |
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| 作者姓名： | 王琛 温盼 彭聪 徐萌 陈龙龙 李喜峰 张建华 |
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| 作者单位： | 1. 上海大学材料科学与工程学院;2. 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:62174105,61674101)； |
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| 摘 要： | 本文制备了氧化硅、聚酰亚胺以及氧化硅-聚酰亚胺堆叠结构钝化层的非晶铟镓锌氧背沟道刻蚀型薄膜晶体管.与传统氧化硅钝化层薄膜晶体管相比,聚酰亚胺钝化层薄膜晶体管的电学特性大幅提高,场效应迁移率从4.7提升至22.4 cm2/(V·s),亚阈值摆幅从1.6降低至0.28 V/decade,电流开关比从1.1×107提升至1.5×1010,负偏压光照稳定性下的阈值电压偏移从–4.8 V下降至–0.7 V.电学特性的改善可能是由于氢向聚酰亚胺钝化层扩散减少了背沟道的浅能级缺陷.
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| 关 键 词： | 非晶铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 钝化层 |
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