| 玻璃通孔三维互连镀铜填充技术发展现状 |
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| 引用本文： | 纪执敬,凌惠琴,吴培林,余瑞益,于大全,李明.玻璃通孔三维互连镀铜填充技术发展现状[J].电化学,2022(6):46-65. |
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| 作者姓名： | 纪执敬 凌惠琴 吴培林 余瑞益 于大全 李明 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学材料科学与工程学院;2. 厦门云天半导体科技有限公司;3. 厦门大学电子科学与技术学院 |
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| 摘 要： | 随着摩尔定律的发展迟缓，微电子器件的高密度化、微型化对先进封装技术提出了更高的要求。中介层技术作为2.5D/3D封装中的关键技术，受到了广泛研究。按照中介层材料不同，主要分为有机中介层、硅中介层以及玻璃中介层。与硅通孔(through silicon via, TSV)互连相比，玻璃通孔(through glass via,TGV)中介层(interposer)因其具有优良的高频电学特性、工艺简单、成本低以及可调的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)等优点，在2.5D/3D先进封装领域受到广泛关注。然而玻璃的导热系数(约1 W·m-1·K-1)与硅(约150 W·m-1·K-1)相比要低很多，因此玻璃中介层存在着严重的散热问题。为得到高质量的TGV中介层，不仅需要高效低成本的通孔制备工艺，还需要无缺陷的填充工艺，目前玻璃中介层面临的挑战也主要集中在这两方面。本文首先介绍了TGV的制备工艺，如超声波钻孔(ultra-sonic drilling, US...
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| 关 键 词： | 中介层 玻璃通孔 填充机理 填充工艺 添加剂 |
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