高T_c的钇钡铜氧化合物的光电子谱研究

本工作用氦Ⅰ和氦Ⅱ紫外光电子谱对高温超导材料(T_c=89.5K)——钇钡铜氧化合物价态附近的电子结构进行了分析。 结果表明随着样品从室温(300K)冷却到80K,除了二个能量位置分别在费米能级以下4.6ev和9.6ev的谱峰向较高的结合能方向有0.4ev的微小移动以外,没有观察到其它的变化。该二个谱峰随温度下降的移动是连续的。本工作对不同烧结工艺的同种材料样品进行了分析,紫外光电子谱的结果表明:价态附近的电子结构有明显的不同。在弗米能级附近的光电子谱表明,样品整体来说是半导体性的。