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| CW CO_2激光退火在硅中产生的氧沾污 | |
| 引用本文： | 许振嘉,陈维德.CW CO_2激光退火在硅中产生的氧沾污[J].物理学报,1984(1). |
| 作者姓名： | 许振嘉 陈维德 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (许振嘉)，中国科学院半导体研究所(陈维德) |
| 摘 要： | 利用相衬显微术、电子吸收像、IR光谱、AES和ESCA谱研究了硅片经CW CO_2激光退火后的一些特征,其中着重分析氧的深度沾污问题。电子吸收像表明:我们的CW CO_2激光退火条件下,其效果并不很均匀。实验还证明:空气中的CW CO_2激光退火可以减少样品表面的碳沾污,但产生氧沾污。氧的沾污分两部分:表面是SiO_x,其下是自由氧原子,厚度不大于250。 |
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