| 基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究（英文） |
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| 引用本文： | 李蕾,温殿忠,李刚,赵晓锋.基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究（英文）[J].强激光与粒子束,2015(2):181-185. |
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| 作者姓名： | 李蕾 温殿忠 李刚 赵晓锋 |
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| 作者单位： | 黑龙江大学电子工程学院重点实验室 |
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| 基金项目： | supported by National Natural Science Foundation of China(60676044,61006057);Electronics Engineering of College of Heilongjiang Province(DZZD20100013) |
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| 摘 要： | 采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现α-Si:H TFT的制作。在给出一般α-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对α-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究。提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5μm范围内,漏压由6V增加到30V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降。研究结果表明,距离漏端0.5μm范围内的压降导致负阻特性产生。
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| 关 键 词： | α-Si:H TFT 纳米非晶硅薄膜 SOI材料 腐蚀自停止技术 负阻特性 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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