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温度对GaN(0001)表面生长吸附SrO、BaO和TiO_2影响的理论研究
引用本文:梁晓琴,周金君,杨春,李来才. 温度对GaN(0001)表面生长吸附SrO、BaO和TiO_2影响的理论研究[J]. 原子与分子物理学报, 2018, 35(6): 1037-1043
作者姓名:梁晓琴  周金君  杨春  李来才
作者单位:四川师范大学化学与材料科学学院
基金项目:四川省科技厅基金(2014JY0091)
摘    要:采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了300、400、500、600和700℃下SrO、BaO和TiO_2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了温度对原子运动轨迹、吸附能、界面电荷分布、稳定吸附方位和扩散系数的影响.温度不同,O-Ga成键时间不同,SrO分子中的O原子与GaN基底成键的Ga原子不同; TiO_2分子中O原子与GaN表面Ga原子成键的顺序也不同.温度对SrO、BaO和TiO_2分子在GaN(0001)表面的最终吸附形态和吸附方位有显著的影响.温度对不同吸附体系吸附能的影响也不相同;小分子在GaN(0001)基片表面优先吸附的顺序依次为TiO_2、SrO和BaO分子.数据分析显示SrO和BaO分子的最优生长温度是600℃,TiO_2分子的最优生长温度是500℃.

关 键 词:SrO、BaO和TiO2   GaN(0001)   温度   吸附
收稿时间:2017-09-06
修稿时间:2017-10-25

Theoretical Study of the Influence of Temperature on SrO, BaO and TiO2 Growth and Adsorption on GaN(0001)Surface
Liang Xiao-Qin,Zhou Jin-Jun,Yang Chun and Li Lai-Cai. Theoretical Study of the Influence of Temperature on SrO, BaO and TiO2 Growth and Adsorption on GaN(0001)Surface[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2018, 35(6): 1037-1043
Authors:Liang Xiao-Qin  Zhou Jin-Jun  Yang Chun  Li Lai-Cai
Affiliation:Sichuan Normal university,College of Chemistry and Material Science, Sichuan Normal University,College of Chemistry and Material Science, Sichuan Normal University and College of Chemistry and Material Science, Sichuan Normal University
Abstract:
Keywords:SrO  BaO and TiO2   GaN(0001)   Temperature   Adsorption
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