| InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究 |
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| 引用本文： | 孔令民,蔡加法,林雪娇,杨克勤,吴正云,沈文忠. InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究[J]. 发光学报, 2002, 23(6): 549-553 |
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| 作者姓名： | 孔令民 蔡加法 林雪娇 杨克勤 吴正云 沈文忠 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学 物理系,福建,厦门,361005
2. 上海交通大学 物理系,凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海,200030 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金重点资助项目(A992001) |
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| 摘 要： | 分别用光致发光谱（PL），光伏谱（PV）及时间分辨谱（TRPL）的方法，测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱，发现单量子阱与多量子阱有不同的光学4性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大，但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快，这是由激子－声子耦合引起的，通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁，多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长，我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算，很好地解释了实验结果。
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| 关 键 词： | InGaAs／GaAs应变量子阱 光谱研究 时间分辨谱 光致发光谱 光伏谱 半导体材料 砷化镓 砷镓铟化合物 形态势模型 |
| 文章编号： | 1000-7032(2002)06-0549-05 |
| 修稿时间： | 2002-08-11 |
Spectral Study of InGaAs/GaAs Strained Quantum Wells |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs/GaAs strained quantum well distortion model time-resolved spectrum |
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