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催化剂辅助化学气相沉积法制备准单晶ZnO纳米线
引用本文:孙小松,余洲,王帅,杨治美,晋勇,何毅,杨文彬,龚敏.催化剂辅助化学气相沉积法制备准单晶ZnO纳米线[J].半导体光电,2005,26(3):216-218,222.
作者姓名:孙小松  余洲  王帅  杨治美  晋勇  何毅  杨文彬  龚敏
作者单位:四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064;四川大学,分析测试中心,四川,成都,610064
基金项目:四川省应用基础研究计划
摘    要:利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在n-Si(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线.X射线衍射分析的结果表明, ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征.扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线的典型直径约为100 nm,长度为2~5 μm.讨论了Au催化辅助化学气相沉积生长技术制备ZnO纳米线的原理.

关 键 词:ZnO纳米线  化学气相沉积  催化辅助生长技术  定向生长  XRD  SEM
文章编号:1001-5868(2005)03-0216-03

Synthesis of ZnO Nanowires by Catalysts Assistant Chemical Vapor Deposition Method
Sun Xiao-song,YU Zhou,Wang Shuai,YANG Zhi-mei,JIN Yong,HE Yi,YANG Wen-bin,GONG Min.Synthesis of ZnO Nanowires by Catalysts Assistant Chemical Vapor Deposition Method[J].Semiconductor Optoelectronics,2005,26(3):216-218,222.
Authors:Sun Xiao-song  YU Zhou  Wang Shuai  YANG Zhi-mei  JIN Yong  HE Yi  YANG Wen-bin  GONG Min
Abstract:
Keywords:ZnO nanowires  chemical vapor deposition  catalytic assistant growth technology  oriented growth  XRD  SEM
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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