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| 同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究 | |
| 引用本文： | 来冰,丁训民,袁泽亮,周翔,廖良生,张胜坤,袁帅,侯晓远,陆尔东,徐彭寿,张新夷.同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究[J].半导体学报,1999,20(7):543-547. |
| 作者姓名： | 来冰 丁训民 袁泽亮 周翔 廖良生 张胜坤 袁帅 侯晓远 陆尔东 徐彭寿 张新夷 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，中国科学技术大学同步辐射实验室 |
| 摘 要： | 首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率，结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论，可以认为Ｉｎ２Ｏ３－ｘ与Ｓｎ３Ｏ４的含量变化是影响ＩＴＯ的导电与透光性能的主要原因 |
| 关 键 词： | 铟锡氧化物 ITO SRPES 实验 |
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