| 高斯电子束曝光系统 |
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| 引用本文： | 杨清华,刘明,陈大鹏,叶甜春.高斯电子束曝光系统[J].电子工业专用设备,2005,34(2):42-45. |
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| 作者姓名： | 杨清华 刘明 陈大鹏 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术重点实验室,北京,100029 |
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| 摘 要： | 电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果。
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| 关 键 词： | 电子束曝光 纳米器件 掩模 邻近效应 |
| 文章编号： | 1004-4507(2005)02-0042-04 |
| 修稿时间： | 2005年1月6日 |
Gauss Electron Beam Lithography System |
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| YANG Qing-hua,LIU Ming,CHEN Da-peng,YE Tian-chun.Gauss Electron Beam Lithography System[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2005,34(2):42-45. |
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| Authors: | YANG Qing-hua LIU Ming CHEN Da-peng YE Tian-chun |
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| Abstract: | As a main method of the nanometer level processing technologies electron beam lithography acts the pivotal role in nanometer component processing, mask fabricating and novel device novel structure manufacture. The present most advanced beam focusing technology may obtain several nanometers electron beam spots,but as a result of the proximity effect, it is still very difficult to obtain the nanometer criterion patterns approaching its theory limits by using electron beam lithography. Basic principle of electron beam lithography and its proximity effect is studied in this paper. |
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| Keywords: | Electron Beam Lithography Nanometer Device Mask Proximity Effect |
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