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| V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响 | |
| 引用本文： | 赵赓,程晓曼,田海军,杜博群,梁晓宇,吴峰.V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响[J].物理学报,2012,61(21):500-505. |
| 作者姓名： | 赵赓 程晓曼 田海军 杜博群 梁晓宇 吴峰 |
| 作者单位： | 1. 天津理工大学理学院,天津300384 天津理工大学材料物理研究所、显示材料与光电器件教育部重点实验室、天津市光电显示材料与器件重点实验室,天津300384 2. 天津理工大学理学院,天津,300384 3. 天津理工大学材料物理研究所、显示材料与光电器件教育部重点实验室、天津市光电显示材料与器件重点实验室,天津,300384 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，天津市自然科学基金项目( |
| 摘 要： | 制备了用过渡金属氧化物V2O5修饰Al源、漏电极的C60/Pentacene双层异质结有机场效应管.该构型器件与未修饰器件相比,呈现出典型的双极型晶体管传输特性.电子迁移率和空穴迁移率分别达到8.6×10-2cm2/V·s-1和6.4×10-2cm2/V·s-1,阈值电压分别为25 V和-25 V.器件性能改善的原因主要是由于插入V2O5修饰层后,可以明显降低Al电极与Pentacene之间的接触势垒,提高空穴的有效注入,从而使电子和空穴的注入接近平衡.研究表明,采用V2O5修饰电极方法,是制备低成本、高性能的双极型有机场效应管并实现其商业应用的有效途径. |
| 关 键 词： | 有机场效应晶体管 双极型 异质结 过渡金属氧化物 |
The influence of modified electrodes by V2O5 film on the performance of ambipolar organic field-effect transistors based on C60/Pentacene |
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| Zhao Geng,Cheng Xiao-Man,Tian Hai-Jun,Du Bo-Qun,Liang Xiao-Yu,Wu Feng.The influence of modified electrodes by V2O5 film on the performance of ambipolar organic field-effect transistors based on C60/Pentacene[J].Acta Physica Sinica,2012,61(21):500-505. | |
| Authors: | Zhao Geng Cheng Xiao-Man Tian Hai-Jun Du Bo-Qun Liang Xiao-Yu Wu Feng |
| Institution: | 1)) 1)(School of Science,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384,China) 2)(Institute of Material Physics,Tianjin University of Technology,Key Laboratory of Display Material and Photoelectric Devices,Ministry of Education,Tianjin Key Laboratory of Photoelectric Materials and Device,Tianjin 300384,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | organic field-effect transistors ambipolar heterostructure a transition metal oxide |
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