| pMOS器件直流应力负偏置温度不稳定性效应随器件基本参数变化的分析 |
| |
| 引用本文： | 曹建民,贺威,黄思文,张旭琳.pMOS器件直流应力负偏置温度不稳定性效应随器件基本参数变化的分析[J].物理学报,2012,61(21):426-433. |
| |
| 作者姓名： | 曹建民 贺威 黄思文 张旭琳 |
| |
| 作者单位： | 深圳大学电子科学与技术学院,深圳,518060 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金，深圳市基础研究计划( |
| |
| 摘 要： | 应用负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI),退化氢分子的漂移扩散模型,与器件二维数值模拟软件结合在一起进行计算,并利用已有的实验数据和基本器件物理和规律,分析直流应力NBTI效应随器件沟道长度、栅氧层厚度和掺杂浓度等基本参数的变化规律,是研究NBTI可靠性问题发生和发展机理变化的一种有效方法.分析结果显示,NBTI效应不受器件沟道长度变化的影响,而主要受到栅氧化层厚度变化的影响;栅氧化层厚度的减薄和栅氧化层电场增强的影响是一致的,决定了器件退化按指数规律变化;当沟道掺杂浓度提高,NBTI效应将减弱,这是因为器件沟道表面空穴浓度降低引起的;然而当掺杂浓度提高到器件的源漏泄漏电流很小时(小泄露电流器件),NBTI效应有明显的增强.这些结论对认识NBTI效应的发展规律以及对高性能器件的设计具有重要的指导意义.
|
| 关 键 词： | pMOS器件 负偏压温度不稳定性 二维器件模拟 漂移扩散模型 |
Dependence of the DC stress negative bias temperature instability effect on basic device parameters in pMOSFET |
| |
| Cao Jian-Min He Wei Huang Si-Wen Zhang Xu-Lin.Dependence of the DC stress negative bias temperature instability effect on basic device parameters in pMOSFET[J].Acta Physica Sinica,2012,61(21):426-433. |
| |
| Authors: | Cao Jian-Min He Wei Huang Si-Wen Zhang Xu-Lin |
| |
| Institution: | Cao Jian-Min He Wei Huang Si-Wen Zhang Xu-Lin (College of Electronic Science and Technology,Shenzhen University,Shenzhen 518060,China.) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | pMOSFET negative bias temperature instability technology computer aided design reaction-diffusion model |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
