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Influence of the ion-implanted oxygen on the absorption edge and electrical properties of amorphous Ge
Authors:M. Závětová  J. Zemek  I. Akimchenko  Ju. Milutin
Affiliation:(1) Institute of Solid State Physics, Czechosl. Acad. Sci., Cukrovarnická 10, 162 53 Praha 6, Czechoslovakia;(2) Physical Institute, Acad. Sci., Moscow, USSR
Abstract:
Keywords:
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