| Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜的合成 |
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| 引用本文： | 郭玲玲,郑光裕,张治国. Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜的合成[J]. 物理实验, 2006, 26(9): 12-16 |
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| 作者姓名： | 郭玲玲 郑光裕 张治国 |
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| 作者单位： | 泉州师范学院,理工学院,福建,泉州,362000 |
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| 摘 要： | 利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8.5×10-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜.研究了蒸发源材料质量比不同的样品的薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系.实验结果表明,Sn1-x(In1-yCuy)xO透明导电薄膜具有优良的光电特性,而且制备出的Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜中In的含量大大减少,可以成为ITO薄膜的潜在替代材料.
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| 关 键 词： | Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜 反应蒸发法 XRD衍射图 温度特性 透过率 |
| 文章编号： | 1005-4642（2006）09-0012-05 |
| 收稿时间： | 2006-05-09 |
| 修稿时间： | 2006-06-20 |
Preparation of Sn1-x(In1-yCuy)xO films |
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| GUO Ling-ling,ZHENG Guang-yu,ZHANG Zhi-guo. Preparation of Sn1-x(In1-yCuy)xO films[J]. Physics Experimentation, 2006, 26(9): 12-16 |
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| Authors: | GUO Ling-ling ZHENG Guang-yu ZHANG Zhi-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sn_(1-x)(In_(1-y)Cu_y)_xO films reaction evaporation XRD spectra temperature property transmissivity |
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