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| 硅集成电路和平面器件的常规管式炉快速合金化 | |
| 作者姓名： | 陈存礼 彭辉 李联珠 |
| 作者单位： | 南京大学物理系(陈存礼，彭辉)，南京大学物理系(李联珠) |
| 摘 要： | 本文报导了一种用30秒钟的快速合金化代替常规热合金化实现Al-Si欧姆接触的简捷方法.该法能有效地抑制导致浅结器件失效的Al-Si互扩散现象,工艺简单,效果良好,节电,省时、时间比常现热合金化缩短40倍. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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